Samsung inicia la fabricación de memorias DRAM LPDDR3 de 4 GB para dispositivos móviles

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Samsung Electronics Co., Ltd. ha iniciado la producción de las nuevas memorias DRAM LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) de bajo consumo para dispositivos móviles que tendrán 4 GB (gigabits) de capacidad y están fabricadas bajo el proceso de 20 nanómetros.

 

“Al proporcionar las memorias de última generación más eficientes para dispositivos móviles y que además cuentan con una capacidad de datos muy grande, le estamos permitiendo a los fabricantes presentar diseños más innovadores en el mercado”,
“Nuestras DRAMs móviles de 4 gigabits y 20 nanómetros constituye otro ejemplo de nuestra capacidad para ofrecer una memoria bien diferenciada, de alto rendimiento y densidad a nuestros clientes en el momento preciso”.

dijo Young-Hyun Jun, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memorias de Samsung.

 

Memorias DRAM LPDDR3 de Samsung

 

Al parecer los chips DRAM LPDDR3 de 4 GB ofrecerán a los dispositivos móviles unos niveles de rendimiento similares a las DRAMs utilizadas en los ordenadores personales, por lo que es una solución atractiva para las exigentes características multimedia de los dispositivos móviles de última generación, tales como teléfonos inteligentes y tablets de alto rendimiento. En comparación con los módulos LPDDR3 DRAM de 30nm, estas memorias son un 30% más rápidos y prometen un ahorro de batería de un 20 por ciento.

[Fuente]



Categorías: MemoriasMóvilNoticias
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